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英特尔18A工艺良率取得进展超越三星2纳米但仍比台积电N2工艺落后

2025-07-14  

  根据KeyBanc资本市场发布的研究分析,英特尔的18A制程节点在研发阶段进展迅速,其良率目前已超越三星的SF2(2纳米)工艺,但仍落后于台积电的N2工艺。不过,这确实表明英特尔正稳步推进年底实现大规模量产的目标。

  现阶段,良率的稳步提升对英特尔至关重要,尤其是18A工艺主要服务于PantherLake等内部产品,因此英特尔必须确保这一阶段万无一失。据KeyBanc指出,英特尔正按计划为下一代移动CPU量产18A工艺,预计到2025年第四季度良率将达70%。虽然英特尔的良率预计仍无法超越台积电,但拥有一个成熟的制程节点对公司而言已足够。

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  尽管英特尔18A制程节点的前景曾存在不确定性,但仅凭内部产品的成功应用就足以证明该工艺的价值。英特尔计划通过18A工艺在尖端领域站稳脚跟,继而通过14A工艺拓展外部客户市场。这一战略将帮助其推出更具市场竞争力的产品,甚至可能直接与台积电的A14制程抗衡。目前业界正密切关注PantherLake在消费级市场的表现。基于过往经验,PantherLake被寄予厚望。

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