国家知识产权局信息显示，福建泓光半导体材料有限公司申请一项名为“一种KrF光刻胶组合物和光刻图案形成方法”的专利，公开号CN121559812A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明属于光刻技术领域，具体涉及一种KrF光刻胶组合物和光刻图案形成方法。所述KrF光刻胶组合物包括：含酸敏基团的聚对羟基苯乙烯类树脂、光致产酸剂、猝灭剂和有机溶剂；所述光致产酸剂在标准PEB条件下的酸扩散长度为20nm以内；所述猝灭剂为LogP‑1.0的第一猝灭剂、LogP=‑1.0~2.2的第二猝灭剂、LogP2.0的第三猝灭剂中的任意一种。本发明的关键在于针对KrF光刻胶这种特定的体系，在引入的光致产酸剂的酸扩散长度固定为20nm以内时，通过量化的LogP值选择不同类别的猝灭剂，从而实现对光刻图案的侧壁角的精确控制，并能有效抑制界面缺陷，从而获得更可控、更理想的光刻图案形貌。
天眼查资料显示，福建泓光半导体材料有限公司，成立于2019年，位于漳州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，福建泓光半导体材料有限公司参与招投标项目23次，财产线条，此外企业还拥有行政许可46个。
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